Перейти к содержанию
Форум Радиодар

JNG15T120HS - мощный IGBT транзистор (1200В, 15А, TO-247) - производство JIAENSEMI


Рекомендуемые сообщения

JNG15T120HS - транзистор IGBT силовой, быстродействующий (максимальное напряжение коллектор-эмиттер 1200В, постоянное напряжение затвор-эмиттер ±30В, максимальный ток коллектор-эмиттер 30А/импульсный 45А, время задержки включения/выключения 20нс/150нс, типовое напряжение насыщения Uк-э =1.9В/Iкэ=15А@Uзэ=15В, 40Вт÷105Вт, -40°С÷155°С, TO-247) - производство JIAEN Semiconductor Co., Ltd.

JNG15T120HS - транзистор IGBT силовой.jpg

radiodar_button_1.png    WIKI_button_2.png    DOWNLOAD_DATASHEET_button_1.png

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь

Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий

Создать аккаунт

Зарегистрируйте новый аккаунт в нашем сообществе. Это очень просто!

Регистрация нового пользователя

Войти

Уже есть аккаунт? Войти в систему.

Войти
  • Статистика пользователей

    228
    Пользователей
    299
    Максимум онлайн
    AlbertVap
    Новый пользователь
    AlbertVap
    Регистрация
×
×
  • Создать...