JNG15T120HS - мощный IGBT транзистор (1200В, 15А, TO-247) - производство JIAENSEMI

[Влад Цепеш]

JNG15T120HS - транзистор IGBT силовой, быстродействующий (максимальное напряжение коллектор-эмиттер 1200В, постоянное напряжение затвор-эмиттер ±30В, максимальный ток коллектор-эмиттер 30А/импульсный 45А, время задержки включения/выключения 20нс/150нс, типовое напряжение насыщения Uк-э =1.9В/Iкэ=15А@Uзэ=15В, 40Вт÷105Вт, -40°С÷155°С, TO-247) - производство JIAEN Semiconductor Co., Ltd.